在多地政府效仿?lián)P州以現(xiàn)金補貼方式鼓勵LED投資的背景下，以MOCVD為代表的超需求設備投資，加大了人們對LED產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生泡沫的擔憂。業(yè)界已有預期，今年下半年會呈現(xiàn)供過于求的市場格局，但眾多LED廠商會采取較為保守的觀望態(tài)度嗎？ 

　　以MOCVD機臺出貨地分布的變化趨勢來看，全球LED產(chǎn)能未來向中國大陸轉移的趨勢明顯，對產(chǎn)業(yè)格局影響深遠。江蘇揚州給予每臺MOCVD機臺1000萬元的現(xiàn)金補貼，下月就將終止了。地方政府以結束財政補貼為手段，來誘迫各家LED廠商超速投資，從而達到落實自己的招商成果，這是今年上半年MOCVD機臺采購潮得以持續(xù)的主因。  

　　不過，MOCVD單臺價格約在300萬美元左右，設備折舊就要占到生產(chǎn)成本的三分之一，這可不是一個小壓力。設備可以買，但先進的技術，特別是獨家的工藝卻是有錢也買不到的。其實，依賴進口設備來發(fā)展自己工藝能力的設想，在中國半導體產(chǎn)業(yè)的實踐中已遭受了一定程度的挫折。  

　　Aixtron的Planetary反應器、Veeco的TurboDisk反應器、ThomasSawn的CCS反應器和日本Sanso雙/多束氣流（TF）反應器等，均是獨家的專利技術，國產(chǎn)MOCVD設備在產(chǎn)業(yè)化進程中所面臨的專利壁壘是難以繞開的。而對溫度的管理能力大小，也決定著能否在保證厚度和波長均勻性基礎上，對大直徑的晶片做更好的控制。另外，包括對Si基技術和GaN量子線技術等，這些未來可能和LED技術融合的技術研究，也決定著我們能否成為LED強者的制約因素。

　　MOCVD設備是制作LED外延片的關鍵設備，而LED外延片的水平?jīng)Q定了整個LED產(chǎn)業(yè)的水平。Cree白光功率LED光效目前已達231lm/W，相信在1～2年內(nèi)即可被規(guī)?；a(chǎn)。盡管2英寸、4英寸目前還是市場主流，但要達到成本降低、產(chǎn)能提高、自動化程度提升以及最大程度利用硅襯底的需求，大尺寸襯底則是發(fā)展趨勢，那些已在開始考慮6英寸、甚至開始著手8英寸工藝的公司，必將成為市場競爭的優(yōu)勝者。  

　　中國LED產(chǎn)業(yè)的芯片環(huán)節(jié)，LED上游外延芯片廠商隨著新增產(chǎn)能的持續(xù)擴充與逐步釋放，芯片產(chǎn)能供不應求的情況會出現(xiàn)緩解，由于利潤空間相對可觀，還是眾多LED企業(yè)想要涉足與延伸的領域，短期內(nèi)市場還不至于出現(xiàn)產(chǎn)能過剩的情況。但是，由于目前芯片質(zhì)量與國外廠商有一定的差距，產(chǎn)品的良率急需提高，從而降低成本形成競爭力，則是主要突破點。由于中國LED芯片企業(yè)增加過猛，技術人才短缺已成為一個大問題，已有不少廠家直奔臺灣去拉人來大陸操作機臺。 

　　封裝環(huán)節(jié)市場競爭是以規(guī)?；癁橹?，由于技術門檻相對較低，參與者也較多。目前，國內(nèi)大功率LED芯片設計已達90lm/W～100lm/W，但能批量生產(chǎn)者卻在少數(shù)，而且在產(chǎn)品良率、品質(zhì)、成本控制方面的能力還不盡如人意，就散熱設計、光炫處理等問題的解決手段也難見有效方案。

    可以說，正是由于技術能力的不足所帶來的LED應用成本居高不下，決定著LED的泡沫有與無。 

　　據(jù)了解，2010年中國LED產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值約為人民幣1200億元，其中75%產(chǎn)值屬下游應用、20.8%為LED封裝，只有僅5%不到是由LED芯片貢獻。目前，中國LED應用廠商約有2500來家，以生產(chǎn)中低端產(chǎn)品為主；LED封裝業(yè)者有1200家，多是中小規(guī)模生產(chǎn)廠商；而LED芯片制造家數(shù)，量產(chǎn)加建設中的約有70來家。根據(jù)規(guī)劃，至2015年中國LED芯片自給率要達到70%、封裝材料為90%、應用市場更要達到98%的自給率。 

　　歐洲LED照明已全面啟動，而60-70%的中低端產(chǎn)品由中國制造。那么GE、Philips和OSRAM憑借其在傳統(tǒng)照明市場的壟斷地位，能否繼續(xù)壟斷LED照明市場呢？恐怕有點難，畢竟半導體固態(tài)照明正在沖擊著傳統(tǒng)照明市場，而隨著室內(nèi)照明，特別是民用的逐步啟動，LED的成長動力將被真正激活。所以，技術能力是防止泡沫產(chǎn)生的根本所在。